• FT-CZ1200Se

    8英寸半導體級單晶爐

    拉晶過程全程自動化

    在惰性氣體環境中,用石墨加熱器將硅材料熔化,

    用直拉法生長無位錯單晶的設備。

     

    性能優勢

    設備主體結構優化,提高了整機穩定性。

    具有拉制12英寸COP FREE半導體單晶硅棒的功能。

    采用新型隔離閥。

    液面高度監控系統。

    高精度傳動機構。

    雙層水冷套、可升降雙層水冷屏。

    8英寸半導體級單晶爐
    型號 FT-CZ1200Se
    場所 周圍溫度 15~30℃
    周圍濕度 ≤65%(無結露,腐蝕氣體)
    潔凈度 10000級凈空房
    噪音 ≤75db
    地基 3000kg/㎡以上
    電源 額定電壓 3P 380VAC±10%  50/60Hz
    額定電容 320kVA
    額定流量 500A
    冷卻水 流量范圍 350~400L/min
    供給壓力 0.3~0.4MPa
    重量 設備高度                                                                       <8290mm                                                            △     
    設備重量 約23T

     

     

    △ 項數據視上爐筒高度而定,本設備數據不含磁場。

    全國熱線

    021-36162928

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