• FT-CZ1200Si

    硅部件級單晶爐

    拉晶過程全程自動化

    在惰性氣體環境中,用石墨加熱器將硅材料熔化,

    用直拉法生長無位錯單晶的設備。

     

    性能優勢

     大直徑設計結構:匹配大直徑單晶硅棒生長所需空間。

    可采用連續加料裝置。

    采用超低碳不銹鋼材料,結構穩定。

    8英寸硅部件級單晶爐
    型號  FT-CZ1200Si
    場所 周圍溫度 15~30℃
    周圍濕度 ≤65%(無結露,腐蝕氣體)
    潔凈度 一般環境水平
    噪音 ≤75db
    地基 3000kg/㎡以上
    電源 額定電壓 3P 380VAC±10%  50/60Hz
    額定電容 320kVA
    額定流量 500A
    冷卻水 流量范圍 350~400L/min
    供給壓力 0.3~0.4MPa
    重量 設備高度 <8250mm                                                                            △    
    設備重量 約10T

     

     

    △ 項數據視上爐筒高度而定,本設備數據不含磁場。

    全國熱線

    021-36162928

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